对比图
描述 N沟道40V - 5.4米ヘ - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET⑩ Power MOSFETN沟道40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO- 220 - IPAK的STripFET TM功率MOSFET N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-251-3 TO-251-3
极性 N-CH -
耗散功率 110 W 110W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A -
上升时间 60 ns -
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.6 mm -
宽度 2.4 mm -
高度 6.2 mm -
封装 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free