对比图
型号 JAN2N7371 JANTX2N7371 2N7371
描述 PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-254 TO-254 TO-254
极性 PNP PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 12A 12A 12A
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW 100000 mW
耗散功率 100 W 100000 mW -
封装 TO-254 TO-254 TO-254
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 -