IDT7006S35J和IDT7006S55JI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7006S35J IDT7006S55JI 7006S55JI

描述 高速16K ×8双端口静态RAM HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAMIC SRAM 128Kbit 55NS 68PLCC静态随机存取存储器 IDT

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 PLCC-68 PLCC-68 PLCC-68

引脚数 - 68 68

封装 PLCC-68 PLCC-68 PLCC-68

长度 - - 24 mm

宽度 - - 24 mm

高度 - - 3.63 mm

厚度 - - 3.63 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

供电电流 - 300 mA -

存取时间(Max) - 55 ns -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

存取时间 - - 55 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

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