BSL802SNL6327和SI3424DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSL802SNL6327 SI3424DV-T1-E3 BSL802SNL6327HTSA1

描述 20V,7.5A功率MOSFETMOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOPTSOP N-CH 20V 7.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP TSOT-23-6 TSOP-6-6

漏源极电阻 - 0.023 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 - 1.14 W 2W (Ta)

阈值电压 - 800 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.5A 5.00 A 7.5A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.14W (Ta) 2W (Ta)

上升时间 - - 30 ns

输入电容(Ciss) - - 1347pF @10V(Vds)

下降时间 - - 5.5 ns

封装 TSOP TSOT-23-6 TSOP-6-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

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