CY7C1360B-166BZI和CY7C1360C-166BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1360B-166BZI CY7C1360C-166BZI CY7C1360C-166BZXI

描述 9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线式SRAM 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA FBGA-165 BGA

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 TBGA FBGA-165 BGA

高度 - - 0.89 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray -

位数 - 36 36

存取时间(Max) - 3.5 ns 3.5 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

供电电流 - 180 mA -

存取时间 - 3.5 ns -

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

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