对比图
型号 BSC091N03MSCG BSC100N03MSGATMA1 FDMS8670S
描述 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8INFINEON BSC100N03MSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 VN沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 - PG-TDSON-8 Power-56-8
引脚数 - 8 8
封装 - PG-TDSON-8 Power-56-8
长度 - 5.9 mm 6 mm
宽度 - 5.15 mm 5 mm
高度 - 1.27 mm 1.1 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 42.0 A
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 30 W 2.5 W
输入电容 - - 4.00 nF
栅电荷 - - 73.0 nC
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) - 12A 42.0 A
上升时间 - 4.8 ns 19 ns
输入电容(Ciss) - 1700pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - 5.4 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
额定功率 - 30 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0083 Ω -
阈值电压 - 2 V -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99