对比图
型号 IPI60R199CP IPW60R199CP IPP60R199CP
描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 650 V 600 V 600 V
额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 199 mΩ 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 139 W 139 W 139 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 1.52 nF 1.52 nF 1.52 nF
栅电荷 43.0 nC 43.0 nC 43.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
漏源击穿电压 - - 600 V
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 16.0 A
上升时间 5 ns 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1520pF @100V(Vds) 1520pF @100V(Vds) 1520pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 139 W - 139 W
下降时间 5 ns 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 139W (Tc) 139 W
长度 10.2 mm 16.13 mm 10 mm
宽度 4.5 mm 5.21 mm 4.4 mm
高度 9.45 mm 21.1 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17