BU508DF和KSD560

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU508DF KSD560 2SD1830

描述 Silicon Diffused Power Transistor低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier(2SB1228/2SD1830) PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) Fairchild (飞兆/仙童) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - TO-220 TO-220

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-220 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -

集电极最大允许电流 - 5A -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

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