1N4730A和BZV85-C3V9,133

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4730A BZV85-C3V9,133 BZX85C3V9-TAP

描述 Zener Diode 3.9V 1W 5% Do-41 CaseDO-41 3.9V 1.3WDiode Zener Single 3.9V 5% 1.3W Automotive 2Pin DO-41 Ammo

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 分立器件齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - SOT-353 DO-41

容差 - ±5 % ±5 %

额定功率 - - 1.3 W

击穿电压 - - 3.90 V

稳压值 - 3.9 V 3.9 V

额定功率(Max) - 1.3 W 1.3 W

正向电压 - 1V @50mA -

耗散功率 - 1.3 W -

测试电流 - 60 mA -

正向电压(Max) - 1V @50mA -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

长度 - - 4.1 mm

宽度 - - 2.6 mm

高度 - - 2.6 mm

封装 - SOT-353 DO-41

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 175℃

温度系数 - -2.25 mV/K -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Box (TB) Ammo Pack

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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