FDU6682和FDU8896

对比图

型号 FDU6682 FDU8896 ISL9N306AD3

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V ， 50A ， 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-251

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 94.0 A -

漏源极电阻 - 5.70 mΩ 9.50 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 71 W 80W (Tc) 125 W

输入电容 - 2.52 nF -

栅电荷 - 46.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 75A 94.0 A 50.0 A

上升时间 12 ns 106 ns -

输入电容(Ciss) - 2525pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 80 W -

耗散功率(Max) - 80W (Tc) -

下降时间 18 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-251

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.3 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -