对比图
型号 BZV55-B39T/R BZV55-B39,115
描述 DIODE 39 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator DiodeMini-MELF 39V 0.5W(1/2W)
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 2
封装 - Mini-MELF
容差 - ±2 %
针脚数 - -
正向电压 - 900mV @10mA
耗散功率 - 0.5 W
测试电流 - 2 mA
稳压值 - 39 V
额定功率(Max) - 500 mW
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 500 mW
正向电压(Max) - 900mV @10mA
额定电压(DC) 39.0 V -
额定功率 500 mW -
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 - Mini-MELF
工作温度 - -65℃ ~ 200℃
温度系数 - 34.8 mV/K
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free