LMC6462BIN和MCP607-I/P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6462BIN MCP607-I/P LMC6462BIN/NOPB

描述 微功耗,轨到轨输入和输出CMOS运算放大器 Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational AmplifierMCP606/607/608/609 运算放大器### 运算放大器,MicrochipTEXAS INSTRUMENTS  LMC6462BIN/NOPB.  双运算放大器

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP PDIP-8 DIP-8

电源电压(DC) - 2.50V (min) -

工作电压 - 2.5V ~ 5.5V 3V ~ 15.5V

输出电流 - 17 mA ≤30 mA

供电电流 - 18.7 µA 50 µA

电路数 - 2 2

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 75 dB 65dB ~ 85dB

静态电流 - 25 µA -

输入补偿漂移 - 1.80 µV/K 1.50 µV/K

带宽 50 kHz 155 kHz 50 kHz

转换速率 - 80.0 mV/μs 15.0 mV/μs

增益频宽积 - 155 kHz 50 kHz

输入补偿电压 - 250 µV 250 µV

输入偏置电流 - 1 pA 0.15 pA

输入电压(Max) - 6 V -

输入电压(Min) - 2.5 V -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 50 kHz 155 kHz 0.05 MHz

共模抑制比(Min) - 75 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 15.5V 2.5V ~ 6V 3V ~ 15.5V

电源电压(Max) 15.5 V 5.5 V 15.5 V

电源电压(Min) - 2.5 V 3 V

输入电压 - 2.5V ~ 6V -

长度 - 9.27 mm 9.27 mm

宽度 - 6.35 mm 6.35 mm

高度 - 3.3 mm 3.3 mm

封装 DIP PDIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/06/15

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