IXFK102N30P和IXTK102N30P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK102N30P IXTK102N30P IXFH94N30P3

描述 N沟道 300V 102AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTK102N30P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 102 A, 300 V, 33 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH94N30P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

通道数 1 - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 33 mΩ 0.036 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 700W (Tc) 700 W 1.04 kW

阈值电压 5 V 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 - - 300 V

连续漏极电流(Ids) - 102 A 94A

上升时间 28 ns 28 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 5510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1040 W

下降时间 30 ns 30 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700W (Tc) 700W (Tc) 1040W (Tc)

反向恢复时间 - 250 ns -

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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