IRF7471PBF和STS11NF30L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7471PBF STS11NF30L AO4484

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8Pin SOICN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道 40V 10A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 40.0 V 30.0 V -

额定电流 10.0 A 11.0 A -

额定功率 2.5 W 2.5 W -

漏源极电阻 13 mΩ 0.0085 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 1.7 W

阈值电压 3 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 11.0 A 10A

上升时间 2.70 ns 39 ns 17.2 ns

输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) 1950pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 1.7 W

下降时间 - 16 ns 16.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 1.7W (Ta)

产品系列 IRF7471 - -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台