OP07CDR和OP177FSZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OP07CDR OP177FSZ OP07CSZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  OP07CDR  芯片, 运算放大器, 600KHZ, 0.3V/uS, SOIC-8ANALOG DEVICES  OP177FSZ  运算放大器, 单路, 600 kHz, 1个放大器, 0.3 V/µs, ± 3V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚Analog Devices### 运算放大器,Analog Devices

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 1.6 mA 4.00 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.15 W 500 mW 75 mW

共模抑制比 100 dB 140 dB 100 dB

带宽 600 kHz 600 kHz 600 kHz

转换速率 300 mV/μs 300 mV/μs 300 mV/μs

增益频宽积 600 kHz 600 kHz 600 kHz

输入阻抗 - 200 GΩ 200 GΩ

输入补偿电压 60 µV 10 µV 60 μV

输入偏置电流 1.8 nA 1.2 nA 1.8 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.6 MHz 600 kHz 100 dB

耗散功率(Max) - 500 mW -

共模抑制比(Min) 100 dB 130 dB 100 dB

电源电压(Max) 36 V 22 V -

电源电压(DC) - - 15.0 V

工作电压 3V ~ 18V - 3V ~ 18V

3dB带宽 - - 600 kHz

输入补偿漂移 500 nV/K - -

电源电压(Min) 6 V - -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 4 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - No No

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR

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