JAN1N5806US和JANTXV1N5806

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5806US JANTXV1N5806 JANS1N5806US

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 D MET 6A SFST 5Diode Switching Diode 150V 2.5A 2Pin Case G-111整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SMD G-111 A-MELF

反向恢复时间 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压 - 0.875 V 875mV @1A

正向电流 - 3300 mA 2500 mA

正向电压(Max) - - 875mV @1A

正向电流(Max) - 3.3 A 2500 mA

封装 SMD G-111 A-MELF

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

军工级 - - Yes

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