2N4222和BF556C,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4222 BF556C,215 MPF102G

描述 Junction FETs Low Frequency/ Low Noise射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSSJFET甚高频放大器 JFET VHF Amplifier

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23-3 TO-92-3

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - 18 mA 10.0 mA

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 7.00 pF

漏源极电压(Vds) - - 25.0 V

栅源击穿电压 - - 25.0 V

额定电压 - 30 V 25 V

耗散功率 - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

高度 - 1 mm 5.33 mm

封装 - SOT-23-3 TO-92-3

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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