对比图
型号 1N5535B JAN1N5535B-1 JAN1N5535B
描述 DO-35 15V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW15 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 DO-35 DO-204AH -
容差 - ±5 % -
正向电压 - 1.1V @200mA -
稳压值 15 V 15 V -
额定功率(Max) - 500 mW -
耗散功率 400 mW - -
封装 DO-35 DO-204AH -
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - -
含铅标准 - -