1N4101和JAN1N4101-1

对比图

型号 1N4101 JAN1N4101-1 1N4101D-1

描述 低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESDO-35 8.2V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

引脚数 2 2 -

耗散功率 400 mW - 500 mW

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

测试电流 0.25 mA 0.25 mA -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -