APT41F100J和IXFN38N100P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT41F100J IXFN38N100P

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETIXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 210 mOhm 1000 W 功率 Mosfet - SOT-227B

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

安装方式 Screw -

通道数 - 1

漏源极电阻 - 210 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 960 W 1 kW

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - 1000 V

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 38A

上升时间 55 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 18500pF @25V(Vds) 24000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1000 W

下降时间 55 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 960W (Tc) 1000W (Tc)

额定电压(DC) 1.00 kV -

额定电流 41.0 A -

长度 - 38.23 mm

宽度 - 25.42 mm

高度 - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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