BFT66和PRF947,115

对比图

型号 BFT66 PRF947,115 BFQ29P

描述 EXTREMELY LOW NOISE NPN SILICON BROADBAND TRANSISTORS射频双极晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNPN硅RF晶体管（对于低噪声IF和宽带放大器最高集电极电流1 GHz的1 mA到20 mA ）。 NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA.)

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-323-3 SOT-23

频率 - 8500 MHz -

耗散功率 - 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @5mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) - 50 -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

极性 - - NPN

集电极最大允许电流 - - 0.03A

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 - SOT-323-3 SOT-23

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -