对比图
型号 BUK9609-40B BUK9609-40B,118
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FETD2PAK N-CH 40V 95A
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-263-3
通道数 - 1
漏源极电阻 - -
耗散功率 - 157W (Tc)
输入电容 - -
漏源极电压(Vds) - 40 V
漏源击穿电压 - -
上升时间 - 106 ns
输入电容(Ciss) - 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 157 W
下降时间 - 89 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 157W (Tc)
极性 - N-CH
连续漏极电流(Ids) - 95A
长度 - -
宽度 - 9.4 mm
高度 - -
封装 - TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free