IRF7463和IRF7463PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7463 IRF7463PBF IRF7463TRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 14AINFINEON  IRF7463PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 14.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7463 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14A 14A

上升时间 16.0 ns 138 ns 138 ns

输入电容(Ciss) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - 2.5 W 2.5 W

通道数 - - 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.008 Ω 10.5 mΩ

阈值电压 - 2 V 2 V

输入电容 - - 3150 pF

下降时间 - 6.5 ns 6.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

额定功率(Max) - 2.5 W -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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