CY14B512I-SFXI和CY14B512I-SFXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B512I-SFXI CY14B512I-SFXIT CY14B512P-SFXIT

描述 512千位(一个64 K ×8 )串行( I2C)的nvSRAM与实时时钟 512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock512千位(一个64 K ×8 )串行( I2C)的nvSRAM与实时时钟 512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock512千位(一个64 K × 8 )串行( SPI)的nvSRAM与实时时钟 512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM with Real Time Clock

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 16 16 -

封装 SOIC-16 SOIC-16 -

工作电压 3 V 3 V -

存取时间(Max) 900 ns 900 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1 W 1 W -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 SOIC-16 SOIC-16 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Unknown -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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