TS271CN和TS27M2IN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS271CN TS27M2IN TLC27L2CP

描述 TS271 系列 16 V 100 kHz CMOS 可编程 低功耗 单 运算放大器 - DIP-8低功耗CMOS双运算放大器 Low-power CMOS dual operational amplifiersTEXAS INSTRUMENTS  TLC27L2CP  运算放大器, 双路, 65 kHz, 2个放大器, 0.03 V/µs, 3V 至 16V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 PDIP-8

电源电压(DC) 18.0V (max) - 5.00 V

供电电流 10 µA 150 µA 29 µA

电路数 1 2 2

通道数 1 2 2

共模抑制比 60 dB - 65dB ~ 94dB

带宽 100 kHz - 65 kHz

转换速率 40.0 mV/μs 600 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 100 kHz 1 MHz 0.085 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

增益带宽 100 kHz - 0.085 MHz

电源电压 3V ~ 16V - 3V ~ 16V

工作电压 - - 3V ~ 16V

输出电流 - - ≤30 mA

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 1000 mW

输入补偿漂移 - - 1.10 µV/K

耗散功率(Max) - - 1000 mW

共模抑制比(Min) - - 65 dB

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 9.8 mm - 9.81 mm

宽度 7.1 mm - 6.35 mm

高度 3.3 mm - 4.57 mm

封装 DIP-8 DIP-8 PDIP-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17

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