对比图
描述 STMICROELECTRONICS 2N1893 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFENPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-5-3 TO-39
针脚数 3 -
极性 NPN NPN
耗散功率 800 mW -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V
直流电流增益(hFE) 80 -
工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃
输入电容 - 80 pF
集电极最大允许电流 - 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 800 mW 1 W
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 1000 mW
额定电压(DC) 120 V -
额定电流 500 mA -
增益频宽积 70 MHz -
集电极击穿电压 120 V -
最大电流放大倍数(hFE) 120 -
封装 TO-5-3 TO-39
长度 9.4 mm -
宽度 9.4 mm -
高度 1.5 mm -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
材质 Silicon Silicon
工作温度 175℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Bag