2N1893和JANTXV2N3499

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1893 JANTXV2N3499

描述 STMICROELECTRONICS  2N1893  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFENPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-5-3 TO-39

针脚数 3 -

极性 NPN NPN

耗散功率 800 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V

直流电流增益(hFE) 80 -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃

输入电容 - 80 pF

集电极最大允许电流 - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 1 W

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 1000 mW

额定电压(DC) 120 V -

额定电流 500 mA -

增益频宽积 70 MHz -

集电极击穿电压 120 V -

最大电流放大倍数(hFE) 120 -

封装 TO-5-3 TO-39

长度 9.4 mm -

宽度 9.4 mm -

高度 1.5 mm -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

材质 Silicon Silicon

工作温度 175℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Bag

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台