NSBC114YDP6T5G和PEMH7,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC114YDP6T5G PEMH7,115 PEMD9,115

描述 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor TransistorsNXP  PEMH7,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 330 hFENXP  PEMD9,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-963-6 SOT-666-6 SOT-666

针脚数 - 6 6

极性 NPN NPN NPN, PNP

耗散功率 408 mW 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) 339 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 330 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 408 mW 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

高度 0.37 mm 0.6 mm 0.6 mm

封装 SOT-963-6 SOT-666-6 SOT-666

长度 1 mm - -

宽度 0.8 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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