FQD19N10和FQD19N10TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD19N10 FQD19N10TF FQD19N10TM

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD19N10TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 15.6 A 15.6 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 100 mΩ 0.078 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 50 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.6A 15.6 A 15.6 A

上升时间 - - 150 ns

输入电容(Ciss) - 780pF @25V(Vds) 780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 - - 65 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5 W

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.1 mm

高度 - - 2.3 mm

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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