BD1356和BD1356STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD1356 BD1356STU BD135-6

描述 TO-126 NPN 45V 1.5ANPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126 TO-126-3 TO-126

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 1.50 A -

耗散功率 - 1.25 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

额定功率(Max) - 1.25 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.25 W -

封装 TO-126 TO-126-3 TO-126

长度 - 8 mm -

宽度 - 3.25 mm -

高度 - 1.5 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Rail, Tube -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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