MCP6023-E/P和TLV2620IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP6023-E/P TLV2620IDR TS951IN

描述 MICROCHIP  MCP6023-E/P  运算放大器, 单路, AEC-Q100, 10 MHz, 1个放大器, 7 V/µs, 2.5V 至 5.5V, DIP, 8 引脚系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN输入/输出轨至轨低功耗运算放大器 Input/Output Rail-to-Rail Low Power Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) 2.50V (min) - -

输出电流 ≤30 mA - -

供电电流 1 mA 800 µA 950 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 -

针脚数 8 - -

共模抑制比 70 dB 78 dB -

输入补偿漂移 3.50 µV/K 3.00 µV/K -

带宽 10 MHz 11 MHz 3 MHz

转换速率 7.00 V/μs 6.00 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 10 MHz 11 MHz 3 MHz

输入补偿电压 500 µV 250 µV 6 mV

输入偏置电流 1 pA 2 pA 35 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 11 MHz 3 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 78 dB -

电源电压 2.5V ~ 5.5V - 2.7V ~ 12V

电源电压(Max) 5.5V ~ 6V - 12 V

耗散功率 - 0.71 W -

过温保护 - No -

耗散功率(Max) - 710 mW -

长度 10.16 mm - -

宽度 0.28 in - -

高度 3.3 mm - -

封装 PDIP-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2014/06/16

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