IRFW740B和IRFW740BTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFW740B IRFW740BTM FQB11N40C

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道 400V 10A400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

漏源极电阻 - 540 mΩ -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 3.13 W -

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 - 400 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A 10.5A

封装 D2PAK D2PAK D2PAK

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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