IRS210614STRPBF和IRS21064STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS210614STRPBF IRS21064STRPBF IRS210614SPBF

描述 600V High and Low Side Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

电源电压(DC) - 10.0V (min) -

上升/下降时间 100ns, 35ns 100ns, 35ns 100ns, 35ns

输出接口数 - 2 2

针脚数 - 14 -

耗散功率 - 1000 mW 1000 mW

下降时间(Max) - 80 ns 80 ns

上升时间(Max) - 220 ns 220 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 10 V 10 V

输出电流 0.29 A - -

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 - - 8.74 mm

宽度 - - 3.99 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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