1N4106D-1和JAN1N4106-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4106D-1 JAN1N4106-1

描述 DO-35 12V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35

引脚数 - 2

测试电流 - 0.25 mA

稳压值 12 V 12 V

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 480 mW

额定功率(Max) - 500 mW

封装 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bag

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 -

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