1N757A和JANTXV1N757A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N757A JANTXV1N757A-1

描述 Diode Zener Single 9.1V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 BulkSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 2

封装 - DO-35

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1 V

耗散功率 - 500 mW

测试电流 - 20 mA

稳压值 - 9.1 V

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

额定电压(DC) - -

额定功率 - -

击穿电压 - -

长度 - 5.08 mm

封装 - DO-35

宽度 - -

高度 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 - -

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