对比图
型号 IRF6621 IRF6621PBF IRF6621TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 30V 12ADirect-FET N-CH 30V 12ADirect-FET N-CH 30V 12A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-SQ
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 6
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12A
额定功率 - - 42 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 9.3 mΩ
耗散功率 - - 42 W
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 - - 14 ns
输入电容(Ciss) - - 1460pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.2 W
下降时间 - - 4.1 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 2.2W (Ta), 42W (Tc)
封装 Direct-FET Direct-FET DirectFET-SQ
长度 - - 4.85 mm
宽度 - - 3.95 mm
高度 - - 0.7 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅
材质 - - Silicon
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)