IPP60R125CP和STP30NM60N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R125CP STP30NM60N IPW60R125CP

描述 INFINEON  IPP60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V , 0.1 Ω , 25 A ,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK , I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKINFINEON  IPW60R125CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 190W (Tc) 208 W

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 12.5 A 25.0 A

输入电容(Ciss) 2500pF @100V(Vds) 2700pF @50V(Vds) 2500pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 208 W 190W (Tc) 208W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 25.0 A - 25.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.11 Ω - 0.11 Ω

阈值电压 3 V - 3 V

输入电容 2.50 nF - 2.50 nF

栅电荷 70.0 nC - 70.0 nC

上升时间 - - 5 ns

额定功率(Max) 208 W - 208 W

下降时间 5 ns - 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

长度 10.36 mm - 16.13 mm

宽度 4.57 mm - 5.21 mm

高度 15.95 mm - 21.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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