对比图
型号 IRFR2407PBF IRFR2407TR IRFR2407TRPBF
描述 INFINEON IRFR2407PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 26 mohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 75V 42AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 110 W - 110 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.026 Ω - 0.0218 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 110 W 110W (Tc) 110 W
阈值电压 4 V - 4 V
输入电容 2400pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V - -
连续漏极电流(Ids) 42A 42A 42A
上升时间 90 ns - 90 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - 110 W
下降时间 66 ns - 66 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.39 mm - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99