APT20M36BFLL和APT20M36BLLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M36BFLL APT20M36BLLG APT20M36BLL

描述 TO-247 N-CH 200V 65ATO-247 N-CH 200V 65APower Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tube -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 65.0 A -

极性 N-CH N-CH -

输入电容 - 3.08 nF -

栅电荷 - 60.0 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 65A 65.0 A -

上升时间 - 37 ns -

输入电容(Ciss) - 3080pF @25V(Vds) -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 329000 mW -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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