JAN2N5685和JANTXV2N5685

对比图

型号 JAN2N5685 JANTXV2N5685 2N5685

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNTE ELECTRONICS 2N5685 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 2MHz, 300W, 50A, 15 hFE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 2

封装 TO-204 TO-3 TO-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 50A 50A -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @25A, 2V 15 @25A, 2V -

额定功率(Max) 300 W 300 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW -

耗散功率 - - 300 W

直流电流增益(hFE) - - 15

封装 TO-204 TO-3 TO-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -