对比图
型号 2STR1215 MMBTA06LT1G MMBTA42LT1G
描述 STMICROELECTRONICS 2STR1215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 500 mW, 2 A, 280 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MMBTA42LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 50 MHz
额定电压(DC) - 80.0 V 300 V
额定电流 - 500 mA 500 mA
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 500 mW 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 15 V 80 V 300 V
集电极最大允许电流 1.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V 100 @100mA, 1V 40 @30mA, 10V
额定功率(Max) 500 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 280 100 50
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 300 mW 300 mW
额定功率 - 225 mW -
增益频宽积 - 100 MHz -
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.95 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR NLR