BZV55-C12,115*和BZV55C12 L1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C12,115* BZV55C12 L1 BZV55C12-TP

描述 Diode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin Mini-MELF T/R500mW,BZV55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:微型 MELF (JEDEC DO-213AC) ### 齐纳二极管,Taiwan SemiconductorBZV55C12-TP 编带

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 - SOD-80 Mini-MELF

耗散功率 0.5 W 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 - 12 V 12 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.5V @200mA

正向电压(Max) - - 1.5V @200mA

额定功率(Max) - - 500 mW

长度 - 3.7 mm -

封装 - SOD-80 Mini-MELF

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

温度系数 8.4 MV/K - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台