1N751D-1E3TR和JANTX1N751D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N751D-1E3TR JANTX1N751D-1 1N751D

描述 DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDO-35 5.1V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

测试电流 - 20 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

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