BUK7506-55A和IRF630B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7506-55A IRF630B PHP21N06T

描述 的TrenchMOS晶体管标准水平FET TrenchMOS transistor Standard level FET200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 SOT-78 TO-220 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 55 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 154A 9A -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

封装 SOT-78 TO-220 -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台