K4D26323RA-GC36和HYB25D128323CL3.6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4D26323RA-GC36 HYB25D128323CL3.6 W9412G2IB-5

描述 1M x 32Bit x 4 Banks with Bi-directional Data Strobe and DLL Double Data Rate Synchronous RAM (144-Ball FBGA)128兆位的DDR SGRAM 128 Mbit DDR SGRAMDRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 144Pin LFBGA

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Infineon (英飞凌) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

封装 LFBGA LFBGA LFBGA

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - EAR99 -

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