IRF530NPBF和IRF540NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF530NPBF IRF540NPBF STP14NF10

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF530NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, TO-220AB 新INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF540NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 33A, TO-220AB 新N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 17.0 A 27.0 A 15.0 A

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.09 Ω 0.044 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 70 W 130 W 60 W

产品系列 IRF530N IRF540N -

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 920pF @25V 1960pF @25V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 33.0 A 15.0 A

上升时间 22 ns 35 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 130 W 60 W

下降时间 25 ns 35 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70000 mW 130000 mW 60W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 10.54 mm 10.54 mm 10.4 mm

高度 15.24 mm 15.24 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.4 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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