SEMH13和SEMH9

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SEMH13 SEMH9 BCR116S

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorBCR116S NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WG 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-666 SOT-666 SOT-363-6

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

耗散功率(Max) - - 250 mW

封装 SOT-666 SOT-666 SOT-363-6

产品生命周期 Obsolete Obsolete End of Life

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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