对比图
型号 BUK7510-100B,127 PSMN009-100P,127 2SK3479-AZ
描述 TO-220AB N-CH 100V 110ATO-220AB N-CH 100V 75ATO-220AB N-CH 100V 83A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 230 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 110A 75A 83A
输入电容(Ciss) 6773pF @25V(Vds) 8250pF @25V(Vds) 11000pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 230 W -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 230W (Tc) 1500 mW
上升时间 - - 18 ns
下降时间 - - 13 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
漏源极电阻 - 7.5 Ω -
阈值电压 - 3 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -