71V424S15YG和IDT71V424S15Y

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V424S15YG IDT71V424S15Y 71V424S15YG8

描述 静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 512K ×8位) 3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT)Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.4INCH, GREEN, PLASTIC, SOJ-36

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 36 - 36

封装 SOJ-36 BSOJ-36 SOJ-36

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 15 ns - -

存取时间(Max) 15 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

长度 23.4 mm - 23.4 mm

宽度 10.2 mm - 10.2 mm

封装 SOJ-36 BSOJ-36 SOJ-36

厚度 2.20 mm - 2.20 mm

高度 2.2 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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