对比图
型号 2N5686 JANTXV2N5686
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-3 TO-3
极性 - NPN
耗散功率 - 300 W
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极最大允许电流 - 50A
最小电流放大倍数(hFE) - 15 @25A, 2V
额定功率(Max) - 300 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW
封装 TO-3 TO-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -