对比图
型号 IRG4BC30W-SPBF IRG4BC30W-STRL IRG4BC30W-S
描述 IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 100 W 100 W 100 W
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 23.0 A
额定功率 100 W - 100 W
耗散功率 100000 mW - 100 W
产品系列 - - IRG4BC30W-S
上升时间 - - 16.0 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 100 W - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -